光創起イノベーション研究拠点
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設備・機器

光創起イノベーション研究拠点では、光の革新的研究を進めるために、文部科学省「地域資源等を活用した産学連携による国際科学イノベーション拠点整備事業」により、次の機器を導入しました。

1.赤外対応近接場イメージング顕微鏡システム(NeaSNOM microscope)

このシステムは、広帯域リアルタイム赤外分光顕微鏡の開発に使用しています。
具体的には、量子カスケードレーザーの適応性検討や生体高分子の分子間相互作用の解明に使用しています。

赤外対応近接場イメージング顕微鏡システム

〈 製 造 〉 Neaspec
〈 仕 様 〉
  • 走査型近接場光学顕微鏡(NeaSNOM)
    原子間力顕微鏡
    集光ユニット
    走査制御用コントローラ
    制御用コンピューター及びソフトウェア
  • 光検出モジュール
    シングルラインレーザー用近接場光検出モジュール
  • 光源
    可視レーザーシステム
〈 設置場所 〉 光創起イノベーション研究拠点棟429室

2.遠赤外波長域用検出器

遠赤外波長域用検出器は、高精度テラヘルツ分光測定装置の開発に使用しています。

遠赤外波長域用検出器

〈 製 造 〉 QMC Instruments Ltd.
〈 型 番 〉 QNbB/Dry
〈 性 能 〉 System optical responsivity 168kV/W
System RMS output noise at 80 Hz 430nV/√Hz
System optical NEP at 80 Hz 2.6pW/√Hz
〈 特長 〉 ※高精度テラヘルツ分光測定装置として
  • 高い周波数精度(10^-6 オーダーの精度)
  • 広い帯域幅(0.5~6.0THz)
  • 高い操作性、メンテナンスフリー、高い耐久性
  • 可搬性、設置容易
〈 設置場所 〉 光創起イノベーション研究拠点棟210室

3.電子線描画装置

電子線描画装置は、ナノメートルオーダーのパターンを高い解像度と高い位置精度で形成することができます。この装置は、主に「半導体微細構造を応用した機能性光源に関する研究」、「金属微細構造を応用した光機能素子に関する研究」、「半導体微細構造を応用した電子機能素子に関する研究」で使用しています。

電子線描画装置

〈 製 造 〉 日本電子(株)
〈 型 番 〉 JBX-6300SP
〈 仕 様 〉 加速電圧 100kV/50kV/25kV
電子銃 ZrO/W
電子線走査の最大クロック周波数 50MHz
基板サイズ 200mm最大
〈 特 長 〉
  • 高解像度 高精度スポットビームシステム
  • 高加速100kV高解像度ビーム
  • 最大200mmウェハまでロード可能
  • 8nm線幅高解像度描画
  • 自動補正機能(露光量・露光位置)
〈 設置場所 〉 光創起イノベーション研究拠点棟101室

4.イメージセンサウェハテストシステム、イメージセンサウェハテスト用光源装置、全自動ウェハプロービングシステム

このシステムは、試作する撮像素子をウェハ段階でプロービングし、遮光/光照射状態で機能テストを行うことができます。
主に、「高分解能近赤外分光イメージングシステム開発」、「超高感度・高機能集積バイオイメージング技術の開発」、「超高精細画像・3次元画像センシング・音像制御等に基づく遠隔再現技術の開発」に使用しています。

イメージセンサウェハテストシステム、イメージセンサウェハテスト用光源装置、全自動ウェハプロービングシステム

〈 製 造 〉 プローバー (株)東京精密
テスター テラダイン(株)
光源 応用電機(株)
〈 型 番 〉 プローバー UF3000EX
テスター IP750EX
光源 AW1053L
〈 特 長 〉
プローバー
  • 8インチ及び12インチのウェハでの測定が可能
  • 55から200℃まで温度調節が可能
テスター
  • 最大32個、総ピン数512ピンまでのイメージセンサのテストに対応
  • データキャプチャレートは、最大で1.5Gbpsまでイメージキャプチャが可能
  • 100MHz以上のデジタル信号の発生に対応
光源
  • 近赤外高速パルス光によるテストが可能
〈 設置場所 〉 光創起イノベーション研究拠点棟224室(2階クリーンルーム内)

5.レーザー直接描画装置

レーザー直接描画装置は、中性子、X線、紫外、テラヘルツ検出素子、イメージングデバイス、無給電センサ用発電デバイス等の試作に使用しています。
主に、「波面制御光源による産業・医療分野のパラダイムシフトの実現」、「赤外分光計測技術の革新と分子間相互作用の解明」、「革新的時空間像構築(イメージング)技術の実用化」、「光時空間遠隔制御(光リモート)技術の革新」の諸課題に取り組みます。

レーザー直接描画装置

〈 製 造 〉 独 ハイデルベルグ・インストルメンツ
〈 型 番 〉 DWL2000-OAF
〈 仕 様 〉 最大描画エリア 200×200㎟
アドレス・グリッド  20nm
最小描画サイズ 0.7μm
描画スピード 110㎟/分
エッジラフネス(3σ) 70nm
CD均一性(3σ) 80nm
アラインメント精度(3σ) 80nm
〈 特 長 〉
  • ラスタ・スキャン方式による高速描画
  • 高いアラインメント精度
  • 高信頼性、長寿命な露光光源(半導体レーザー、~4000時間)
  • エアゲージ/光学式オートフォーカス
〈 設置場所 〉 光創起イノベーション研究拠点棟124室


光創起イノベーション研究拠点棟 〈光創起研究棟〉

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